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半導體應變計特性及溫度誤差

更新時間:2025-06-11      瀏覽次數(shù):329

半導體應變計特性

半導體材料受到應力作用時,電阻值要發(fā)生變化,電阻值的變化主要是由尺寸變化和電阻率變化引起的,其中電阻率變化引起的電阻變化要遠大于尺寸變化引起的電阻變化,即電阻的相對變化主要是由電阻率的相對變化決定的。半導體式應變計的靈敏度很高,但它的電阻溫度系數(shù)大,靈敏度也隨溫度變化而變化,易產(chǎn)生熱零點漂移和熱靈敏度漂移。

半導體應變計溫度誤差產(chǎn)生的原因

在應變片不受力的情況下,當工作環(huán)境溫度變化時,也會引起電阻的相對變化,測量電路(一般用惠斯登電橋)有輸出,產(chǎn)生溫度誤差,產(chǎn)生溫度誤差的主要原因有以下幾方面:

(1)電阻溫度系數(shù)的影響。

(2)試件材料與應變材料線膨脹系數(shù)不同的影響。應變片使用時,要粘貼在試件上,若試件材料與應變片材料線膨脹系數(shù)不同,環(huán)境溫度變化時,應變片會產(chǎn)生附加變形,產(chǎn)生附加電阻。用半導體應變計測量應變時,一般用電橋電路,初始時,電橋處于平衡狀態(tài)(即零點),當溫度變化時,由于應變片電阻溫度系數(shù)的存在和應變片與試件的線膨脹系數(shù)不同,使得應變片阻值發(fā)生變化,電橋偏離平衡狀態(tài),在不感受應變的情況下有輸出,稱之為熱零點漂移。溫度變化時,應對溫度變化引起的虛假應變進行補償。


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